半导体器件物理基础 (2008 年度畅销榜NO.57650 )

本书内容大体可分为两个部分。前两章为第一部分，介绍学习半导体器件必需的知识，包括半导体基本知识和p-n结理论；其余各章为第二部分，阐述半导体器件的基本原理及双极型晶体管、化合物半导体场效应晶体管、MOS器件、有源微波二极管和光电器件等半导体器件。\r\n 本书简明扼要，既着重于基本的半导体器件及其基本知识，也涉及了半导体器件领域内的新进展和新概念，可作为电子信息专业特别是微电子学专业的教材或参考书，分章节供本科生和研究生使用；也可供有关研究人员参考。 \r\n \r\n

主要符号表\r\n第一章 半导体基本知识\r\n 半导体中的载流子\r\n 晶格振动\r\n 载流子输运现象\r\n 半导体的光学性质\r\n第二章 p-n结\r\n 热平衡状态\r\n 耗尽区和耗尽层电容\r\n 直流特性\r\n 交流小信号特性；扩散电容\r\n 电荷存储和反向恢复时间\r\n 结的击穿\r\n第三章 双极型晶体管\r\n 基本原理\r\n 双极型晶体管的直流特性\r\n 双极型晶体管模型\r\n 双极型晶体管的频率特性\r\n 双极型晶体管的开关特性\r\n 异质结双极晶体管\r\n 多晶硅发射极晶体管\r\n p-n-p-n结构\r\n第四章 化合物半导体场效应晶体管\r\n 肖特基势垒和欧姆接触\r\n GaAs MESFET\r\n 高电子迁移率晶体管\r\n第五章 MOS器件\r\n MOS结构的基本性质\r\n MOS场效应晶体管的基本理论\r\n 短沟道MOSFET\r\n SOI MOSFET\r\n 埋沟MOSFET\r\n 电荷耦合器件\r\n第六章 有源微波二极管\r\n 隧道二极管\r\n 共振隧穿二极管\r\n IMPATT二极管\r\n 转移电子器件\r\n第七章 半导体激光器和光电二极管\r\n 半导体激光器的基本结构和工作原理\r\n 半导体激光器的工作特性\r\n 双异质结激光器\r\n 量子阱激光器\r\n 光电二极管\r\n主要参考文献\r\n\r\n

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