半导体物理与器件（第三版）——国外电子与通信教材系列 (2009 年度畅销榜NO.2463 )

本书是微电子技术领域的基础教程。全书涵盖了量子力学、固体物理、半导体材料物理以及半导体器件物理等内容，共分为三部分，十五章。第一部分介绍基础物理，包括固体晶格结构、量子力学和固体物理；第二部分介绍半导体材料物理，主要讨论平衡态和非平衡态半导体以及载流子输运现象；第三部分介绍半导体器件物理，主要讨论同质pn结、金属半导体接触、异质结以及双极晶体管、MOS场效应晶体管、结型场效应晶体管等。最后论述了光子器件和功率半导体器件。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了小尺寸器件物理问题，具有一定的深度和广度。全书内容丰富、概念清楚、讲解深入浅出、理论分析透彻。另外，全书各章难点之后均列有例题、自测题，每章末均安排有复习要点、重要术语解释及知识点。全书各章末列有习题和参考文献，书后附有部分习题的答案；此外，部分章末引入了计算机仿真题。 \r\n 本书可作为高等院校微电子技术专业本科生及相关专业研究生的教材或参考书。也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。

绪论 半导体和集成电路\r\n 历史\r\n 集成电路（IC）\r\n 制造\r\n 参考文献\r\n第1章 固体晶格结构\r\n 1.1 半导体材料\r\n 1.2 固体类型\r\n 1.3 空间晶格\r\n 1.4 原子价键\r\n 1.5 固体中的缺陷和杂质\r\n 1.6 半导体材料的生长\r\n 1.7 小结\r\n 重要术语解释\r\n 知识点\r\n 复习题\r\n 习题\r\n 参考文献\r\n第2章 量子力学初步\r\n 2.1 量子力学的基本原理\r\n 2.2 薛定谔波动方程\r\n 2.3 薛定谔波动方程的应用\r\n 2.4 原子波动理论的延伸\r\n 2.5 小结\r\n 重要术语解释\r\n 知识点\r\n 复习题\r\n 习题\r\n 参考文献\r\n第3章 固体量子理论初步\r\n 3.1 允带与禁带\r\n 3.2 固体中电的传导\r\n 3.3 三维扩展\r\n 3.4 状态密度函数\r\n 3.5 统计力学\r\n 3.6 小结\r\n 重要术语解释\r\n 知识点\r\n 复习题\r\n 习题\r\n 参考文献\r\n第4章 平衡半导体\r\n 4.1 半导体中的载流子\r\n 4.2 掺杂原子与能级\r\n 4.3 非本征半导体\r\n 4.4 施主和受主的统计学分布\r\n 4.5 电中性状态\r\n 4.6 费米能级的位置\r\n 4.7 小结\r\n 重要术语解释\r\n 知识点\r\n 复习题\r\n 习题\r\n 参考文献\r\n第5章 载流子输运现象\r\n 5.1 载流子的漂移运动\r\n 5.2 载流子扩散\r\n 5.3 杂质梯度分布\r\n 5.4 霍尔效应\r\n 5.5 小结\r\n 重要术语解释\r\n 知识点\r\n 复习题\r\n 习题\r\n 参考文献\r\n第6章 半导体中的非平衡过剩载流子\r\n第7章 pn结\r\n第8章 pn结二极管\r\n第9章 金属半导体和半导体异质结\r\n第10章 双极晶体管\r\n第11章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础\r\n第12章 金属氧化物半导体场效应晶体管：概念的深入\r\n第13章 结型场效应晶体管\r\n第14章 光器件\r\n第15章 半导体功率器件\r\n附录A 部分参数符号列表\r\n附录B 单位制、单位换算和通用常数\r\n附录C 元素周期表\r\n附录D 误差函数\r\n附录E 薛定谔波动方程的推导\r\n附录F 能量单位——电子伏特\r\n附录G 部分习题参考答案\r\n索引

从1947年第一支晶体管诞生，到1958年第一块集成电路的出现，直至今天的甚大规模集电路的不断发展，人类社会已从电子时代步入以微电子技术为基础的信息时代。随着知识经济的到来，作为信息产业强大基础的微电子技术正在迅速成长，同时带动了一批相关产业的崛起和发展。微电子技术比以往任何时候都显示出为世人瞩目的重要性。近年来，我国制定了发展微电子技术的各项优惠政策，世界半导体设计与制造中心正快速地向中国大陆转移，一批投资上百亿的集成电路制造厂在中国相继投产，集成电路设计业快速增长。可以预期，我国必将成为世界微电子强国。半导体物理和器件的相关知识是微电子技术的基础，掌握该知识对从事相关科学研究至关重要。基于此，我们在电子工业出版社的大力支持下，由天津大学在微电子方向长期从事教学的教师们组织翻译该书，作为一门微电子技术入门书籍奉献给读者。本书既可作为高等院校微电子技术专业本科生及相关专业研究生教材，也可作为相关领域工程技术人员的参考资料。 本书作者有着多年丰富的教学和科研经验，该书为第三版，是在前两次版本作为教材使用多年的基础上修改而成的，其特点是集量子力学、固体物理、半导体材料物理、半导体器件物理为一体的综合性基础理论教材。书中既讲述了半导体基础知识，也分析讨论了半导体基本器件物理以及小尺寸器件物理问题，具有一定的广度和深度。最后还给出了光子器件和功率半导体器件的内容。全书共15章，作者讲解深入浅出，理论分析透彻，重点突出；每个章节的末尾都进行了小结，并列出了重点概念的解释和知识点。为了使读者更好地学习理解，在重点和难点后随即配有相关例题，并给出了多种形式的习题供读者练习和自我测试。对于想要掌握半导体与器件基本理论、研制开发新型半导体器件与集成电路的人们来说，采用该书无疑是一种正确的选择。 参加本书翻译工作的有姚素英、赵毅强、解晓东、王志杰、周津、侯舒志、孙世鹏、 孙权、王晓辉、任彤、戴山小等。张生才、李志国、徐江涛、付贤松、路尧等参加了部分书稿的校对与整理工作。 鉴于译者水平有限，书中难免存在不足和疏漏之处，敬请读者批评指正和谅解。